ابتكر فريق من جامعة فودان الصينية، ذاكرة «فلاش» جديدة تُعرف باسم «PoX»، قادرة على تنفيذ 25 مليار عملية في الثانية، بفضل تقنية برمجة كل بت خلال 400 بيكوثانية فقط، متفوقة على جميع سابقاتها في السرعة.
وتعتمد التقنية على الغرافين بدلاً من السيليكون، ما أتاح سرعة تضاهي ذاكرات «DRAM»، مع ميزة الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة. هذا الابتكار قد يغيّر مستقبل تخزين البيانات ويعزز ريادة الصين في تقنيات الذكاء الاصطناعي.
أخبار ذات صلة
